W987D6HBGX7E TR

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W987D6HBGX7E TR概述

DRAM Chip Mobile LPSDR SDRAM 128Mbit 8Mx16 1.8V 54Pin VFBGA

SDRAM - 移动 LPSDR 存储器 IC 128Mb(8M x 16) 并联 133 MHz 5.4 ns 54-VFBGA(8x9)


得捷:
IC DRAM 128MBIT PARALLEL 54VFBGA


艾睿:
DRAM Chip Mobile LPSDR SDRAM 128Mbit 8Mx16 1.8V 54-Pin VFBGA


W987D6HBGX7E TR中文资料参数规格
技术参数

位数 16

存取时间Max 8ns, 5.4ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -25 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.95V

封装参数

引脚数 54

封装 TFBGA-54

外形尺寸

封装 TFBGA-54

物理参数

工作温度 -25℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Not For New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买W987D6HBGX7E TR
型号: W987D6HBGX7E TR
描述:DRAM Chip Mobile LPSDR SDRAM 128Mbit 8Mx16 1.8V 54Pin VFBGA

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