W987D2HBJX6I

W987D2HBJX6I图片1
W987D2HBJX6I图片2
W987D2HBJX6I概述

DRAM Chip Mobile LPSDR SDRAM 128Mbit 4Mx32 1.8V 90Pin VFBGA

SDRAM - 移动 LPSDR 存储器 IC 128Mb(4M x 32) 并联 166 MHz 5.4 ns 90-VFBGA(8x13)


得捷:
IC DRAM 128MBIT PARALLEL 90VFBGA


艾睿:
DRAM Chip Mobile LPSDR SDRAM 128Mbit 4Mx32 1.8V 90-Pin VFBGA


W987D2HBJX6I中文资料参数规格
技术参数

存取时间Max 5.4ns, 6ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.95V

封装参数

引脚数 90

封装 TFBGA-90

外形尺寸

高度 0.66 mm

封装 TFBGA-90

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Not For New Designs

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买W987D2HBJX6I
型号: W987D2HBJX6I
描述:DRAM Chip Mobile LPSDR SDRAM 128Mbit 4Mx32 1.8V 90Pin VFBGA

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台