W631GG8KB-12参数规格_中文资料_数据手册PDF

W631GG8KB-12概述

DDR DRAM, 128MX8, 0.225ns, CMOS, PBGA78, 8 X 10.5MM, 0.8MM PITCH, ROHS COMPLIANT, WBGA-78

SDRAM - DDR3 Memory IC 1Gb 128M x 8 Parallel 800MHz 20ns 78-WBGA 10.5x8

得捷:
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78WBGA

艾睿:
DRAM Chip DDR3 SDRAM 1Gbit 128Mx8 1.5V 78-Pin WBGA

Verical:
DRAM Chip DDR3 SDRAM 1Gbit 128Mx8 1.5V 78-Pin WBGA

W631GG8KB-12中文资料参数规格

技术参数

供电电流 250 mA

位数 8

存取时间Max 0.225 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.425V ~ 1.575V

封装参数

引脚数 78

封装 TFBGA-78

外形尺寸

封装 TFBGA-78

物理参数

工作温度 0℃ ~ 95℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

香港进出口证 NLR

数据手册

W631GG8KB-12引脚图与封装图

在线购买W631GG8KB-12

型号： W631GG8KB-12

描述：DDR DRAM, 128MX8, 0.225ns, CMOS, PBGA78, 8 X 10.5MM, 0.8MM PITCH, ROHS COMPLIANT, WBGA-78

替代型号W631GG8KB-12

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
W631GG8KB-12 Winbond Electronics 华邦电子股份	当前型号	当前型号
W631GG8KB-11 华邦电子股份	类似代替	W631GG8KB-12和W631GG8KB-11的区别
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