W988D6FBGX7E

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W988D6FBGX7E概述

Synchronous DRAM, 8MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8 X 9MM, 0.8MM PITCH, HALOGEN AND LEAD FREE , VFBGA-54

SDRAM - Mobile LPSDR Memory IC 256Mb 16M x 16 Parallel 133MHz 5.4ns 54-VFBGA 8x9


得捷:
IC DRAM 256MBIT PAR 54VFBGA


立创商城:
W988D6FBGX7E


艾睿:
DRAM Chip Mobile LPSDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 1.8V 54-Pin VFBGA


W988D6FBGX7E中文资料参数规格
技术参数

位数 16

存取时间Max 8ns, 5.4ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -25 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.95V

封装参数

引脚数 54

封装 TFBGA-54

外形尺寸

封装 TFBGA-54

物理参数

工作温度 -25℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

W988D6FBGX7E引脚图与封装图
W988D6FBGX7E引脚图
W988D6FBGX7E封装图
W988D6FBGX7E封装焊盘图
在线购买W988D6FBGX7E
型号: W988D6FBGX7E
描述:Synchronous DRAM, 8MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8 X 9MM, 0.8MM PITCH, HALOGEN AND LEAD FREE , VFBGA-54
替代型号W988D6FBGX7E
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