W988D2FBJX7E

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W988D2FBJX7E概述

Synchronous DRAM, 8MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13MM, 0.8MM PITCH, HALOGEN AND LEAD FREE, VFBGA-90

SDRAM - Mobile LPSDR Memory IC 256Mb 8M x 32 Parallel 133MHz 5.4ns 90-VFBGA 8x13


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W988D2FBJX7E


得捷:
IC DRAM 256MBIT PARALLEL 90VFBGA


艾睿:
DRAM Chip Mobile LPSDR SDRAM 256Mbit 8Mx32 1.8V 90-Pin VFBGA


W988D2FBJX7E中文资料参数规格
技术参数

位数 32

存取时间Max 8ns, 5.4ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -25 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.95V

封装参数

引脚数 90

封装 TFBGA-90

外形尺寸

封装 TFBGA-90

物理参数

工作温度 -25℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

W988D2FBJX7E引脚图与封装图
W988D2FBJX7E引脚图
W988D2FBJX7E封装图
W988D2FBJX7E封装焊盘图
在线购买W988D2FBJX7E
型号: W988D2FBJX7E
描述:Synchronous DRAM, 8MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13MM, 0.8MM PITCH, HALOGEN AND LEAD FREE, VFBGA-90

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