512M mSDR, x32, 166MHz, Ind Temp, 46nm
SDRAM - Mobile LPSDR Memory IC 512Mb 16M x 32 Parallel 166MHz 5ns 90-VFBGA 8x13
得捷: IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90VFBGA
艾睿: DRAM Chip Mobile LPSDR SDRAM 512Mbit 16Mx32 1.8V 90-Pin VFBGA
位数 32
存取时间Max 5ns, 6ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 1.7V ~ 1.95V
引脚数 90
封装 TFBGA-90
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
产品生命周期 Active
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
ECCN代码 EAR99
数据手册