W9825G6EH-6参数规格_中文资料_数据手册PDF

W9825G6EH-6概述

DDR DRAM, 16MX16, 5ns, CMOS, PDSO54, 0.4INCH, 0.8MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-54

SDRAM Memory IC 256Mb 16M x 16 Parallel 166MHz 5ns 54-TSOP II

得捷:
IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II

艾睿:
DRAM Chip SDRAM 256Mbit 16Mx16 3.3V 54-Pin TSOP-II

Win Source:
4 M × 4 BANKS × 16 BITS SDRAM

W9825G6EH-6中文资料参数规格

技术参数

电源电压 3V ~ 3.6V

封装参数

封装 TSOP-54

外形尺寸

封装 TSOP-54

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准

含铅标准无铅

数据手册

W9825G6EH-6引脚图与封装图

在线购买W9825G6EH-6

型号： W9825G6EH-6

描述：DDR DRAM, 16MX16, 5ns, CMOS, PDSO54, 0.4INCH, 0.8MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-54

替代型号W9825G6EH-6

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
W9825G6EH-6 Winbond Electronics 华邦电子股份	当前型号	当前型号
W9825G6JH-6 华邦电子股份	完全替代	W9825G6EH-6和W9825G6JH-6的区别
W9825G6JH-6I 华邦电子股份	完全替代	W9825G6EH-6和W9825G6JH-6I的区别
NT5SV16M16CS-6K 南亚	功能相似	W9825G6EH-6和NT5SV16M16CS-6K的区别