W971GG8SB25I

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W971GG8SB25I概述

DDR DRAM, 128MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60, 8 X 12.5MM, 0.8MM PITCH, ROHS COMPLIANT, WBGA-60

SDRAM - DDR2 Memory IC 1Gb 128M x 8 Parallel 200MHz 400ps 60-WBGA 8x12.5


得捷:
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60WBGA


欧时:
Winbond, W971GG8SB25I


艾睿:
DRAM Chip DDR2 SDRAM 1Gbit 128Mx8 1.8V 60-Pin WBGA


Verical:
DRAM Chip DDR2 SDRAM 1Gbit 128Mx8 1.8V 60-Pin WBGA


W971GG8SB25I中文资料参数规格
技术参数

供电电流 110 mA

位数 8

存取时间Max 0.4 ns

工作温度Max 95 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

引脚数 60

封装 TFBGA-60

外形尺寸

封装 TFBGA-60

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 95℃

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买W971GG8SB25I
型号: W971GG8SB25I
描述:DDR DRAM, 128MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60, 8 X 12.5MM, 0.8MM PITCH, ROHS COMPLIANT, WBGA-60
替代型号W971GG8SB25I
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W971GG8SB25I

Winbond Electronics 华邦电子股份

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W971GG8SB25I和W971GG8JB25I的区别

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