XN0411200L参数规格_中文资料_数据手册PDF

XN0411200L概述

Mini6-G1 PNP 50V 100mA

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT 2 PNP - Pre-Biased Dual 50V 100mA 80MHz 300mW Surface Mount MINI6-G1

得捷:
TRANS PREBIAS DUAL PNP MINI6

XN0411200L中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -50.0 V

额定电流 -100 mA

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 60 @5mA, 10V

额定功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-6

外形尺寸

封装 SOT-23-6

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买XN0411200L

型号： XN0411200L

描述：Mini6-G1 PNP 50V 100mA