XN0421100L参数规格_中文资料_数据手册PDF

XN0421100L概述

Mini6-G1 NPN 50V 100mA

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT 2 NPN - Pre-Biased Dual 50V 100mA 150MHz 300mW Surface Mount MINI6-G1

得捷:
TRANS PREBIAS DUAL NPN MINI6

XN0421100L中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 50.0 V

额定电流 100 mA

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 35 @5mA, 10V

额定功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-6

外形尺寸

封装 SOT-23-6

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买XN0421100L

型号： XN0421100L

描述：Mini6-G1 NPN 50V 100mA