XP152A12C0MR

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XP152A12C0MR概述

功率MOS FET POWER MOS FET

IC


立创商城:
P沟道 20V 700mA


得捷:
MOSFET P-CH 20V 700MA SOT23


Win Source:
POWER MOS FET


XP152A12C0MR中文资料参数规格
技术参数

极性 P-CH

耗散功率 500mW Ta

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 0.7A

输入电容Ciss 180pF @10VVds

耗散功率Max 500mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

香港进出口证 NLR

数据手册

在线购买XP152A12C0MR
型号: XP152A12C0MR
描述:功率MOS FET POWER MOS FET
替代型号XP152A12C0MR
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XP152A12C0MR

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XP152A12C0MR和XP152A12C0MR-G的区别

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