XP162A11C0PR-G

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XP162A11C0PR-G概述

功率MOSFET Power MOSFET

表面贴装型 P 通道 30 V 2.5A(Ta) 2W(Ta) SOT-89


立创商城:
P沟道 30V 2.5A


得捷:
MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT89


贸泽:
MOSFET


Win Source:
MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT89


XP162A11C0PR-G中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 280 mΩ

极性 P-CH

耗散功率 2 W

阈值电压 2.5 V

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30 V

连续漏极电流Ids 2.5A

上升时间 30 ns

输入电容Ciss 280pF @10VVds

下降时间 35 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 2W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-89-3

外形尺寸

封装 SOT-89-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买XP162A11C0PR-G
型号: XP162A11C0PR-G
描述:功率MOSFET Power MOSFET

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