XP152A11E5MR-G概述
功率MOSFET Power MOSFET
P-Channel 30V 700mA Ta 500mW Ta Surface Mount SOT-23
得捷:
MOSFET P-CH 30V 700MA SOT23
贸泽:
MOSFET
安富利:
Trans MOSFET P 30V 0.7A 3-Pin SOT-23 T/R
Win Source:
Ultra High-Speed Switching Cellular and portable phones On-board power supplies
XP152A11E5MR-G中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 450 mΩ
极性 P-CH
耗散功率 500 mW
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
连续漏极电流Ids 0.7A
上升时间 25 ns
输入电容Ciss 160pF @10VVds
下降时间 40 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 500mW Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
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