功率MOSFET Power MOSFET
IC
得捷: MOSFET N-CH 20V 1A SOT23
Win Source: MOSFET N-CH 20V 1A SOT23
极性 N-CH
耗散功率 500mW Ta
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 1A
输入电容Ciss 180pF @10VVds
额定功率Max 500 mW
耗散功率Max 500mW Ta
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-23-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册