XP151A12A2MR

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XP151A12A2MR概述

功率MOSFET Power MOSFET

IC


得捷:
MOSFET N-CH 20V 1A SOT23


Win Source:
MOSFET N-CH 20V 1A SOT23


XP151A12A2MR中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 500mW Ta

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 1A

输入电容Ciss 180pF @10VVds

额定功率Max 500 mW

耗散功率Max 500mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买XP151A12A2MR
型号: XP151A12A2MR
描述:功率MOSFET Power MOSFET

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