XP4316 NPN+PNP复合阻尼三极管 50V 0.1A HEF=160~460 R1=4.7KΩ SOT-363/SC-88 标记7U 用于开关/数字电路
Q1 集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO | 50V \---|--- Q1集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO | 50V Q1集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC | 100MA/0.1A Q2 集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO | -50V Q2集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO | -50V Q2集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC | -0.1A/100MA Q1基极输入电阻R1 Input ResistanceR1 | 4.7KΩ Q1基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter ResistanceR2 | Q1电阻比R1/R2 Q1 Resistance Ratio | Q2基极输入电阻R1 Input ResistanceR1 | 4.7KΩ Q2基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter ResistanceR2 | Q2电阻比R1/R2 Q2 Resistance Ratio | 直流电流增益hFE DC Current GainhFE Q1/Q2 | 160~460 / 160~460 截止频率fT Transtion FrequencyfT Q1/Q2 | 150MHZ / 80MHZ 耗散功率Pc Power Dissipation | 150MW/0.15W Description & Applications | Silicon NPN epitaxial planer transistor Tr1 Silicon PNP epitaxial planer transistor Tr2 Two elements incorporated into one package. Transistors with built-in resistor UNR1216UN1216 + UNR1116UN1116 描述与应用 | 硅NPN型外延刨床晶体管Tr1 硅PNP型外延刨床晶体管Tr2 两个元素纳入一个包。 晶体管内置电阻 UNR1216UN1216 + UNR1116UN1116