XN4312 NPN+PNP复合带阻尼三极管 50V/-50V 100mA/-100mA 60 300mW/0.3W SOT-163/SC-74/SOT23-6 标记7T 开关电路 逆变器 接口电路 驱动电路
集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO| 50V/-50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO| 50V/-50V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC| 100mA/-100mA Q1基极输入电阻R1 Input ResistanceR1| 22KΩ/Ohm Q1基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter ResistanceR2| 22KΩ/Ohm Q1电阻比R1/R2 Q1 Resistance Ratio| 1 Q2基极输入电阻R1 Input ResistanceR1| 22KΩ/Ohm Q2基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter ResistanceR2| 22KΩ/Ohm Q2电阻比R1/R2 Q2 Resistance Ratio| 1 直流电流增益hFE DC Current GainhFE| 60 截止频率fT Transtion FrequencyfT| 150MHz/80MHz 耗散功率Pc Power Dissipation| 300mW/0.3W Description & Applications| Features • Silicon NPN epitaxial planer transistor Tr1 Silicon PNP epitaxial planer transistor Tr2 • Two elements incorporated into one package.Emitter-coupled transistors with built-in resistor • Reduction of the mounting area and assembly cost by one half. • For switching/digital circuits 描述与应用| 特点 •NPN硅外延的刨床晶体管（TR1）硅PNP外延刨床晶体管的（TR2） •两个要素纳入一包装（发射极耦合晶体管内置电阻）。 •减少安装面积和汇编一半的费用。 •对于开关/数字电路