XP152A11E5MR

XP152A11E5MR P沟道MOS场效应管 -30V -0.7A 0.20ohm SOT-23 marking/标记 211 超高速开关 低导通电阻 内置栅极保护二极管

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs±Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流IdDrain Current| -700mA/-0.7A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.20Ω @-400mA,-10V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -1.0--3.0V 耗散功率PdPower Dissipation| 500mW/0.5W Description & Applications| FEATURES Low On-State Resistance : Rdson = 0.25Ω@ Vgs = -10V Rdson = 0.45Ω@ Vgs = -4.5V Ultra High-Speed Switching Gate Protect Diode Built-in Driving Voltage : -4.5V P-Channel Power MOSFET DMOS Structure Small Package : SOT-23 描述与应用| 低导通电阻：RDS（ON）=0.25Ω@ VGS=-10V 的Rds（on）=0.45Ω@ VGS=-4.5V 超高速开关 内置栅极保护二极管 驱动电压：-4.5V P沟道功率MOSFET DMOS结构式 小封装：SOT-23