XP162A11C0PR

XP162A11C0PR P沟道MOS场效应管 -30V -2.5A 0.11ohm SOT-89 marking/标记 2112 超高速开关 低导通电阻 内置栅极保护二极管

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs±Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流IdDrain Current| -2.5A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.11Ω @1.5A,10V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -1.0--2.5V 耗散功率PdPower Dissipation| 2W Description & Applications| FEATURES Low On-State Resistance : Rdson = 0.15Ω@ Vgs = -10V Rdson = 0.28Ω@ Vgs = -4.5V Ultra High-Speed Switching Driving Voltage : -4.5V Gate Protect Diode Built-in P-Channel Power MOSFET DMOS Structure Small Package 描述与应用| 低导通电阻：RDS（ON）=0.15Ω@ VGS=-10V 的Rds（on）=0.28Ω@ VGS=-4.5V 超高速开关 驱动电压：-4.5V 内置栅极保护二极管 P沟道功率MOSFET DMOS结构式 小包装