ZXMN2B01F

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ZXMN2B01F概述

DIODES INC.  ZXMN2B01F  晶体管, MOSFET, 低电压, N沟道, 2.4 A, 20 V, 100 mohm, 4.5 V, 1 V

The is a N-channel enhancement-mode MOSFET with low gate drive capability. This new generation Trench MOSFET from Zetex features low ON-resistance achievable with low gate drive.

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Fast switching speed

ZXMN2B01F中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.1 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 806 mW

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 2.40 A

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23

外形尺寸

封装 SOT-23

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Cut Tape CT

制造应用 Industrial, Motor Drive & Control, Power Management

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买ZXMN2B01F
型号: ZXMN2B01F
制造商: Vishay Semiconductor 威世
描述:DIODES INC.  ZXMN2B01F  晶体管, MOSFET, 低电压, N沟道, 2.4 A, 20 V, 100 mohm, 4.5 V, 1 V
替代型号ZXMN2B01F
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

ZXMN2B01F

Vishay Semiconductor 威世

当前型号

当前型号

PMV56XN,215

恩智浦

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ZXMN2B01F和PMV56XN,215的区别

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