DIODES INC. ZXMN6A11G 晶体管, MOSFET, N沟道, 3.8 A, 60 V, 140 mohm, 10 V, 1 V
The is a 60V N-channel Enhancement Mode DMOSFET designed to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.
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- Fast switching speed
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- Low gate drive
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- Low input capacitance
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- AEC-Q101 qualified
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- UL94V-0 Flammability rating
针脚数 3
漏源极电阻 0.14 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 3.9 W
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 3.80 A
工作温度Max 150 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-223
封装 SOT-223
产品生命周期 Active
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 Aerospace, 国防, Power Management, Military, 军用与航空, Defence, 电源管理, Motor Drive & Control, 电机驱动与控制
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
军工级 Yes
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
ZXMN6A11G Vishay Semiconductor 威世 | 当前型号 | 当前型号 |
BSP318S 英飞凌 | 功能相似 | ZXMN6A11G和BSP318S的区别 |