ZM4755A-GS08

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ZM4755A-GS08中文资料参数规格
技术参数

容差 ±5 %

击穿电压 43.0 V

耗散功率 1000 mW

测试电流 6 mA

稳压值 43 V

额定功率Max 1 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 DO-213AB

外形尺寸

长度 5.2 mm

封装 DO-213AB

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买ZM4755A-GS08
型号: ZM4755A-GS08
描述:1W,ZM47xxA 系列,Vishay Semiconductor 硅平面齐纳二极管(电源) 适用于稳定和削波电路的应用,带有高额定功率 标准齐纳电压容差为 ±5% 符合 AEC-Q101 ### 齐纳二极管,Vishay Semiconductor
替代型号ZM4755A-GS08
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