容差 ±5 %
击穿电压 43.0 V
耗散功率 1000 mW
测试电流 6 mA
稳压值 43 V
额定功率Max 1 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 1000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 DO-213AB
长度 5.2 mm
工作温度 -65℃ ~ 175℃
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册
ZM4755A-GS08
Vishay Semiconductor 威世
当前型号
ZM4755A-GS18
威世
完全替代
ZMY43-GS08
类似代替
ZMY43
Diotec Semiconductor
功能相似