容差 ±5 %
耗散功率 1000 mW
测试电流 6 mA
稳压值 43 V
额定功率Max 1 W
耗散功率Max 1000 mW
安装方式 Surface Mount
封装 DO-213AB
工作温度 -65℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 无铅
数据手册
ZM4755A-GS18
Vishay Semiconductor 威世
当前型号
ZM4755A-GS08
威世
完全替代
SML4755A-E3/61
类似代替
ZMY43
Diotec Semiconductor
功能相似