ZXGD3111N8TC

ZXGD3111N8TC图片1
ZXGD3111N8TC概述

200V ACTIVE OR-ING MOSFET CONTROLLER IN SO8

This power MOSFET from Diodes Zetex can not only be used for amplifying electronic signals but also for switching between electronic signals.


得捷:
IC MOSFET CTLR SYNCH 8SOIC


艾睿:
IC MOSFET CTLR SYNCH 8SOIC


ZXGD3111N8TC中文资料参数规格
技术参数

供电电流 200 µA

耗散功率 785 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -50 ℃

耗散功率Max 785 mW

电源电压 4V ~ 20V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SO-8

外形尺寸

封装 SO-8

物理参数

工作温度 -50℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Unknown

制造应用 通用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买ZXGD3111N8TC
型号: ZXGD3111N8TC
制造商: Vishay Semiconductor 威世
描述:200V ACTIVE OR-ING MOSFET CONTROLLER IN SO8

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台