ZDT6702TC

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ZDT6702TC中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN+PNP

耗散功率 2.75 W

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 1.75A

最小电流放大倍数hFE 5000

额定功率Max 2.75 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-223-8

外形尺寸

长度 6.7 mm

宽度 3.7 mm

高度 1.6 mm

封装 SOT-223-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: ZDT6702TC
制造商: Vishay Semiconductor 威世
描述:Darlington Transistors NPN/PNP Darl 20V

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