ZDT6705TC

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ZDT6705TC中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 120 V

最小电流放大倍数hFE 2000 @1A, 5V

额定功率Max 2.75 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-223-8

外形尺寸

封装 SOT-223-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买ZDT6705TC
型号: ZDT6705TC
制造商: Vishay Semiconductor 威世
描述:TRANS NPN/PNP DARL 120V 1A SM8

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