ZXTD3M832TA

ZXTD3M832TA图片1
ZXTD3M832TA图片2
ZXTD3M832TA中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -40.0 V

额定电流 -3.00 A

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 40 V

集电极最大允许电流 3A

最小电流放大倍数hFE 60 @1.5A, 2V

额定功率Max 1.7 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 VDFN-8

外形尺寸

封装 VDFN-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买ZXTD3M832TA
型号: ZXTD3M832TA
制造商: Vishay Semiconductor 威世
描述:Trans GP BJT PNP 40V 3A 8Pin MLP T/R Trans GP BJT PNP 40V 3A 8Pin MLP T/R Trans GP BJT PNP 40V 3A 8Pin MLP T/R

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台