ZDT1147TC

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ZDT1147TC中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

耗散功率 2.75 W

增益频宽积 115 MHz

击穿电压集电极-发射极 12 V

集电极最大允许电流 5A

最小电流放大倍数hFE 250 @500mA, 2V

最大电流放大倍数hFE 270

额定功率Max 2.75 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-261-4

外形尺寸

封装 TO-261-4

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: ZDT1147TC
制造商: Vishay Semiconductor 威世
描述:Bipolar Transistors - BJT Dual 25V NPN HighG

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