ZDS020N60TB参数规格_中文资料_数据手册PDF

ZDS020N60TB概述

N 通道 MOSFET 晶体管，ROHM### MOSFET 晶体管，ROHM

N 通道 MOSFET ，ROHM

得捷:
MOSFET N-CH 600V 630MA 8SOP

欧时:
ROHM Si N沟道 MOSFET ZDS020N60TB, 630 mA, Vds=600 V, 8引脚 SC-87封装

安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 0.63A 8-Pin SOP T/R

ZDS020N60TB中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 2W Tc

漏源极电压Vds 600 V

上升时间 20 ns

输入电容Ciss 310pF @10VVds

额定功率Max 2 W

下降时间 65 ns

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 2W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5.2 mm

宽度 4.05 mm

高度 1.6 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not For New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买ZDS020N60TB

型号： ZDS020N60TB

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：N 通道 MOSFET 晶体管，ROHM ### MOSFET 晶体管，ROHM