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ZXMD63C02XTC中文资料参数规格

技术参数

通道数 2

漏源极电阻 150 mΩ

极性 N+P

耗散功率 870 mW

漏源极电压Vds 20 V

漏源击穿电压 20 V

连续漏极电流Ids 2.4A/1.7A

输入电容Ciss 350pF @15VVds

额定功率Max 1.04 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TSSOP-8

外形尺寸

封装 TSSOP-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买ZXMD63C02XTC

型号： ZXMD63C02XTC

制造商： Vishay Semiconductor 威世

描述：MOSFET N/P-CH 20V 8MSOP

替代型号ZXMD63C02XTC

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