ZXMD65P02N8TC概述
MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC
Mosfet Array 2 P-Channel Dual 20V 4A 1.75W Surface Mount 8-SO
得捷:
MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC
贸泽:
MOSFET Dual 20V P Chl HDMOS
Win Source:
MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC
ZXMD65P02N8TC中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -20.0 V
额定电流 -4.40 A
通道数 2
漏源极电阻 80 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 1.25 W
输入电容 950 pF
栅电荷 20.0 nC
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20 V
栅源击穿电压 ±12.0 V
连续漏极电流Ids 5.10 A
上升时间 29.9 ns
输入电容Ciss 960pF @15VVds
额定功率Max 1.75 W
下降时间 29.9 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 1.75 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free