ZXMN2A02X8TC参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

ZXMN2A02X8TC图片1

ZXMN2A02X8TC中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

漏源极电阻 40 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 1.1 W

漏源极电压Vds 20 V

漏源击穿电压 20 V

连续漏极电流Ids 7.8A

上升时间 10 ns

输入电容Ciss 1900pF @10VVds

下降时间 10 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 1.1W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 MSOP-8

外形尺寸

封装 MSOP-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

在线购买ZXMN2A02X8TC

型号： ZXMN2A02X8TC

制造商： Vishay Semiconductor 威世

描述：MOSFET N-CH 20V 6.2A 8-MSOP

替代型号ZXMN2A02X8TC

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

ZXMN2A02X8TC

Vishay Semiconductor 威世

当前型号

当前型号

ZXMN2A02X8TA

美台

功能相似

ZXMN2A02X8TC和ZXMN2A02X8TA的区别