ZVN2106G

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ZVN2106G概述

DIODES INC.  ZVN2106G  晶体管, MOSFET, N沟道, 700 mA, 60 V, 2 ohm, 10 V, 2.4 V

The is a 60V N-channel Enhancement Mode Vertical MOSFET with matte tin plated terminals. The MOSFET is ideal for solenoids/relay driver for automotive and DC-DC converters.

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Maximum continuous drain current
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AEC-Q101 qualified
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UL94V-0 Flammability rating
ZVN2106G中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 2 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 2 W

阈值电压 2.4 V

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 700 mA

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-223

外形尺寸

封装 SOT-223

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Cut Tape CT

制造应用 电源管理, Automotive, Power Management, 车用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买ZVN2106G
型号: ZVN2106G
制造商: Vishay Semiconductor 威世
描述:DIODES INC.  ZVN2106G  晶体管, MOSFET, N沟道, 700 mA, 60 V, 2 ohm, 10 V, 2.4 V
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