ZXMD65P02N8TA中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -20.0 V
额定电流 -4.40 A
漏源极电阻 80.0 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 1.25 W
输入电容 950 pF
栅电荷 20.0 nC
漏源极电压Vds 20 V
栅源击穿电压 ±12.0 V
连续漏极电流Ids 5.10 A
上升时间 29.9 ns
输入电容Ciss 960pF @15VVds
额定功率Max 1.75 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
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