ZVP3306F概述
DIODES INC. ZVP3306F 晶体管, MOSFET, P沟道, 90 mA, -60 V, 14 ohm, -10 V, -3.5 V
The is a -60V E-Line P-channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET with 14R resistance and 330mW power dissipation.
Newark:
# DIODES INC. ZVP3306F MOSFET Transistor, P Channel, 900 mA, -60 V, 14 ohm, -10 V, -3.5 V
ZVP3306F中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 14 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 330 mW
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 900 mA
工作温度Max 150 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23
外形尺寸
封装 SOT-23
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 Audio, Automotive, Power Management, 车用, 音频, 电源管理, Motor Drive & Control, 电机驱动与控制
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
在线购买ZVP3306F
型号： ZVP3306F
制造商：
Vishay Semiconductor
威世
描述：DIODES INC. ZVP3306F 晶体管, MOSFET, P沟道, 90 mA, -60 V, 14 ohm, -10 V, -3.5 V