ZDM4206NTC

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ZDM4206NTC中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 1.00 A

通道数 2

漏源极电阻 1.5 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 2.75 W

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 1.00 A

上升时间 12 ns

输入电容Ciss 100pF @25VVds

额定功率Max 2.75 W

下降时间 15 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-223-8

外形尺寸

长度 6.7 mm

宽度 3.7 mm

高度 1.6 mm

封装 SOT-223-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: ZDM4206NTC
制造商: Vishay Semiconductor 威世
描述:MOSFET 2N-CH 60V 1A SOT-223-8

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