ZVN2110G

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ZVN2110G概述

DIODES INC.  ZVN2110G  晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 100 V, 4 ohm, 10 V, 2.4 V

The is a N-channel enhancement-mode Vertical DMOSFET with fast switching speed.


Newark:
# DIODES INC.  ZVN2110G  MOSFET Transistor, N Channel, 500 mA, 100 V, 4 ohm, 10 V, 2.4 V


ZVN2110G中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 4 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 2 W

阈值电压 2.4 V

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 500 mA

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-223

外形尺寸

封装 SOT-223

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Cut Tape CT

制造应用 Industrial, Power Management

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买ZVN2110G
型号: ZVN2110G
制造商: Vishay Semiconductor 威世
描述:DIODES INC.  ZVN2110G  晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 100 V, 4 ohm, 10 V, 2.4 V
替代型号ZVN2110G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

ZVN2110G

Vishay Semiconductor 威世

当前型号

当前型号

BSP122,115

恩智浦

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ZVN2110G和BSP122,115的区别

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