ZXMP6A18K概述
DIODES INC. ZXMP6A18K 晶体管, MOSFET, P沟道, 10.4 A, -60 V, 55 mohm, -10 V, -1 V
The is a -60V P-channel Enhancement Mode MOSFET that utilizes a unique structure and combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This makes the MOSFET ideal for high efficiency, low voltage and power management applications.
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- Low on-resistance
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- Fast switching speed
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- Low threshold
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- Low gate drive
ZXMP6A18K中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.055 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 4.3 W
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 10.4 A
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252
外形尺寸
封装 TO-252
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 电源管理, Power Management, Motor Drive & Control, 电机驱动与控制
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
在线购买ZXMP6A18K
型号： ZXMP6A18K
制造商：
Vishay Semiconductor
威世
描述：DIODES INC. ZXMP6A18K 晶体管, MOSFET, P沟道, 10.4 A, -60 V, 55 mohm, -10 V, -1 V