ZVP4105A概述
DIODES INC. ZVP4105A 晶体管, MOSFET, P沟道, 170 mA, -50 V, 10 ohm, -5 V, -2 V
The is a P-channel enhancement-mode Vertical DMOSFET.
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 50V 0.175A 3-Pin E-Line
Allied Electronics:
MOSFET P-ch 50V 0.175A 10R 0.625W E-Line
安富利:
Trans MOSFET P-CH 50V 0.175A 3-Pin E-Line
Win Source:
MOSFET P-CH 50V 175MA TO92-3
ZVP4105A中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -50.0 V
额定电流 -175 mA
针脚数 3
漏源极电阻 10 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 625 mW
输入电容 40.0 pF
漏源极电压Vds 50 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 170 mA
上升时间 10 ns
输入电容Ciss 40pF @25VVds
额定功率Max 625 mW
下降时间 25 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 625mW Ta
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-92-3
外形尺寸
封装 TO-92-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
制造应用 Power Management, Industrial
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
在线购买ZVP4105A
型号： ZVP4105A
制造商：
Vishay Semiconductor
威世
描述：DIODES INC. ZVP4105A 晶体管, MOSFET, P沟道, 170 mA, -50 V, 10 ohm, -5 V, -2 V