ZXM62P02E6

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ZXM62P02E6中文资料参数规格
技术参数

针脚数 6

漏源极电阻 200 mΩ

极性 P-Channel

耗散功率 1.7 W

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 2.30 A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

引脚数 6

封装 SOT-23

外形尺寸

封装 SOT-23

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买ZXM62P02E6
型号: ZXM62P02E6
制造商: Vishay Semiconductor 威世
描述:DIODES INC.  ZXM62P02E6  晶体管, MOSFET, P沟道, 2.3 A, -20 V, 200 mohm, 4.5 V, -700 mV
替代型号ZXM62P02E6
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