ZXMN10A08E6

ZXMN10A08E6图片1
ZXMN10A08E6图片2
ZXMN10A08E6图片3
ZXMN10A08E6图片4
ZXMN10A08E6图片5
ZXMN10A08E6图片6
ZXMN10A08E6图片7
ZXMN10A08E6图片8
ZXMN10A08E6概述

DIODES INC. ZXMN10A08E6 MOSFET Transistor, N Channel, 1.5A, 100V, 400mohm, 10V, 2V

DESCRIPTION

This new generation of TRENCH MOSFETs from Zetex utilizes a unique structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage, power management applications.

FEATURES

• Low on-resistance

• Fast switching speed

• Low threshold

• Low gate drive

• SOT23-6 package

APPLICATIONS

• DC - DC Converters

• Power Management Functions

• Disconnect switches

• Motor control

ZXMN10A08E6中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.4 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 1.7 W

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 1.50 A

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 6

封装 SOT-23

外形尺寸

封装 SOT-23

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买ZXMN10A08E6
型号: ZXMN10A08E6
制造商: Vishay Semiconductor 威世
描述:DIODES INC. ZXMN10A08E6 MOSFET Transistor, N Channel, 1.5A, 100V, 400mohm, 10V, 2V
替代型号ZXMN10A08E6
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

ZXMN10A08E6

Vishay Semiconductor 威世

当前型号

当前型号

ZXMN6A08E6

威世

类似代替

ZXMN10A08E6和ZXMN6A08E6的区别

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司