ZXMD63P02X

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ZXMD63P02X中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.27 Ω

极性 Dual P-Channel

耗散功率 1.25 W

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 1.70 A

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 MSOP

外形尺寸

封装 MSOP

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买ZXMD63P02X
型号: ZXMD63P02X
制造商: Vishay Semiconductor 威世
描述:DIODES INC. ZXMD63P02X Dual MOSFET, Dual P Channel, 1.7A, -20V, 270mohm, 4.5V, -700mV
替代型号ZXMD63P02X
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