ZVN3320ASTOA

ZVN3320ASTOA图片1
ZVN3320ASTOA图片2
ZVN3320ASTOA中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 200 V

额定电流 100 mA

通道数 1

漏源极电阻 25 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 330 mW

输入电容 45.0 pF

漏源极电压Vds 200 V

漏源击穿电压 200 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 60.0 mA

输入电容Ciss 45pF @25VVds

额定功率Max 625 mW

耗散功率Max 625mW Ta

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-92-3

外形尺寸

封装 TO-92-3

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买ZVN3320ASTOA
型号: ZVN3320ASTOA
制造商: Vishay Semiconductor 威世
描述:MOSFET N-CH 200V 0.1A TO92-3
替代型号ZVN3320ASTOA
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

ZVN3320ASTOA

Vishay Semiconductor 威世

当前型号

当前型号

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台