ZXTP2012ASTOA

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ZXTP2012ASTOA中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -60.0 V

额定电流 -3.50 A

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 3.5A

最小电流放大倍数hFE 100 @1A, 1V

额定功率Max 1 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 E-Line-3

外形尺寸

封装 E-Line-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买ZXTP2012ASTOA
型号: ZXTP2012ASTOA
制造商: Vishay Semiconductor 威世
描述:ZXTP2012A Series PNP 60V 1A Medium Power Transistor Through Hole - TO-92-3
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