ZTX451STOA

ZTX451STOA图片1
ZTX451STOA中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 1.00 A

极性 NPN

耗散功率 1 W

增益频宽积 150 MHz

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 50 @150mA, 10V

额定功率Max 1 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 E-Line-3

外形尺寸

长度 4.77 mm

宽度 2.41 mm

高度 4.01 mm

封装 E-Line-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买ZTX451STOA
型号: ZTX451STOA
制造商: Vishay Semiconductor 威世
描述:ZTX451 Series 60V 1A NPN Silicon Planar Medium Power Transistor - TO-92-3

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