ZXMP6A13GTA参数规格_中文资料_数据手册PDF

ZXMP6A13GTA概述

P 沟道 MOSFET，40V 至 90V，Diodes Inc### MOSFET 晶体管，Diodes Inc.

P 沟道 MOSFET，40V 至 90V，Diodes Inc

### MOSFET ，Diodes Inc.

欧时:
DiodesZetex Si P沟道 MOSFET ZXMP6A13GTA, 2.3 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装

ZXMP6A13GTA中文资料参数规格

技术参数

漏源极电压Vds 60 V

输入电容Ciss 219pF @30VVds

额定功率Max 2 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3.9 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-223

外形尺寸

长度 6.7 mm

宽度 3.7 mm

高度 1.8 mm

封装 SOT-223

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买ZXMP6A13GTA

型号： ZXMP6A13GTA

制造商： Diodes Zetex 捷特科

描述：P 沟道 MOSFET，40V 至 90V，Diodes Inc ### MOSFET 晶体管，Diodes Inc.