ZXM62N03GTA参数规格_中文资料_数据手册PDF

ZXM62N03GTA概述

N 沟道 MOSFET，30V，Diodes Inc### MOSFET 晶体管，Diodes Inc.

N 沟道 MOSFET，30V，Diodes Inc

### MOSFET ，Diodes Inc.

欧时:
DiodesZetex Si N沟道 MOSFET ZXM62N03GTA, 4.7 A, Vds=30 V, 3针+焊片 SOT-223封装

Online Components:
Trans MOSFET N-CH 30V 4.7A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R

ZXM62N03GTA中文资料参数规格

技术参数

输入电容Ciss 380pF @25VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3.9 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-223

外形尺寸

长度 6.7 mm

宽度 3.7 mm

高度 1.7 mm

封装 SOT-223

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买ZXM62N03GTA

型号： ZXM62N03GTA

制造商： Diodes Zetex 捷特科

描述：N 沟道 MOSFET，30V，Diodes Inc ### MOSFET 晶体管，Diodes Inc.