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ZTX849概述

DIODES INC. ZTX849 单晶体管双极, NPN, 30 V, 100 MHz, 1.2 W, 5 A, 200 hFE

- 双极 BJT - 单 NPN 30 V 5 A 100MHz 1.2 W 通孔 E-Line（TO-92 兼容）

得捷:
TRANS NPN 30V 5A E-LINE

艾睿:
Trans GP BJT NPN 30V 5A Automotive 3-Pin E-Line

安富利:
Trans GP BJT NPN 30V 5A 3-Pin E-Line

Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 30V 5A 3-Pin E-Line

Win Source:
TRANS NPN 30V 5A E-LINE

ZTX849中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 5.00 A

极性 NPN

耗散功率 1.2 W

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 5A

最小电流放大倍数hFE 100 @1A, 1V

额定功率Max 1.2 W

直流电流增益hFE 200

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1200 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 E-Line-3

外形尺寸

封装 E-Line-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 200℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买ZTX849

型号： ZTX849

描述：DIODES INC. ZTX849 单晶体管双极, NPN, 30 V, 100 MHz, 1.2 W, 5 A, 200 hFE

替代型号ZTX849