ZTX849STZ

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ZTX849STZ概述

Trans GP BJT NPN 30V 5A Automotive 3Pin E-Line Box

- 双极 BJT - 单 NPN 30 V 5 A 100MHz 1.2 W 通孔 E-Line(TO-92 兼容)


得捷:
TRANS NPN 30V 5A E-LINE


艾睿:
Do you require a transistor in your circuit operating in the high-voltage range? This NPN ZTX849STZ general purpose bipolar junction transistor, developed by Diodes Zetex, is your solution. This bipolar junction transistor&s;s maximum emitter base voltage is 6 V. Its maximum power dissipation is 1200 mW. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 200 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 30 V and a maximum emitter base voltage of 6 V.


富昌:
ZTX849 系列 NPN 5 A 30 V 硅 平面 中等功率 晶体管 - TO-92-3


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 30V 5A 3-Pin E-Line Box


ZTX849STZ中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 5.00 A

极性 NPN

耗散功率 1200 mW

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 5A

最小电流放大倍数hFE 100 @1A, 1V

额定功率Max 1.2 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1200 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 E-Line-3

外形尺寸

封装 E-Line-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买ZTX849STZ
型号: ZTX849STZ
制造商: Diodes 美台
描述:Trans GP BJT NPN 30V 5A Automotive 3Pin E-Line Box
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