









晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 240 V, 4 ohm, 10 V, 1.3 V
N-Channel 240 V 5.5 Ohm Enhancement Mode Vertical DMOS FET - SOT-223
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MOSFET N-CH 240V 500MA SOT223
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额定电压DC 240 V
额定电流 500 mA
针脚数 4
漏源极电阻 4 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2.5 W
阈值电压 1.3 V
输入电容 110 pF
漏源极电压Vds 240 V
漏源击穿电压 240 V
栅源击穿电压 ±40.0 V
连续漏极电流Ids 500 mA
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 200pF @25VVds
额定功率Max 2.5 W
下降时间 16 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-261-4
高度 1.65 mm
封装 TO-261-4
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
ZVN4424GTA Diodes 美台 | 当前型号 | 当前型号 |
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