ZTX853 系列 NPN 4 A 100 V 硅 平面 中等功率 晶体管 - TO-92-3
- 双极 BJT - 单 NPN 100 V 4 A 130MHz 1.2 W 通孔 E-Line（TO-92 兼容）
得捷:
TRANS NPN 100V 4A E-LINE
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT NPN Big Chip SELine
艾睿:
Trans GP BJT NPN 100V 4A Automotive 3-Pin E-Line Box
安富利:
Trans GP BJT NPN 100V 4A 3-Pin E-Line Box
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1200mW Automotive 3-Pin E-Line Box
额定电压DC 100 V
额定电流 4.00 A
极性 NPN
耗散功率 1.2 W
增益频宽积 130 MHz
击穿电压集电极-发射极 100 V
集电极最大允许电流 4A
最小电流放大倍数hFE 100 @2A, 2V
额定功率Max 1.2 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 1200 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 E-Line-3
长度 4.77 mm
宽度 2.41 mm
高度 4.01 mm
封装 E-Line-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 200℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
ZTX853STZ Diodes 美台 | 当前型号 | 当前型号 |
ZTX853 美台 | 类似代替 | ZTX853STZ和ZTX853的区别 |
FZT853TA 美台 | 功能相似 | ZTX853STZ和FZT853TA的区别 |
FZT853TC 美台 | 功能相似 | ZTX853STZ和FZT853TC的区别 |